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100–300GHz Sub-THz 收发模块、D/G-band 前端、太赫兹倍频混频本振、InP/GaN/SiGe 射频芯片、220–330GHz 信道样机与太赫兹回传通感前端

• 通感一体前端

  通感一体前端，140/220GHz 双频段，通信感知分时复用，通信速率数 Gbit/s，感知支持测距与成像，面向安检与检测预研。

• 混频本振组件

  混频本振组件把倍频与本振分配集成一体，输出多路本振驱动，覆盖 130–230GHz，面向收发一体机的本振子系统。

• 机载太赫兹链路前端

  机载太赫兹链路前端，140GHz 频段，抗振设计与多普勒补偿，面向机载平台短距高速链路与成像载荷预研。

• 小站回传前端

  小站回传前端，140GHz 频段，集成收发与自适应调制，站距 50–500m，面向密集城区小站无线回传部署。

• 双频收发前端

  D/G 双频收发前端，覆盖 140GHz 与 220GHz 两个频点，共用中频与本振架构，面向双频备份与频谱灵活链路。

• ×9 倍频链本振源

  ×9 倍频链本振源，输入 15–25GHz 参考，输出 135–225GHz，输出功率 -15 至 -5dBm，面向 D/G-band 前端本振配套。

• ×12 倍频链本振源

  ×12 倍频链本振源，输入 18–27GHz 参考，输出 216–324GHz，输出功率 -18 至 -8dBm，面向 H-band 前端与信道样机本振。

• SiGe BiCMOS 收发芯片

  SiGe BiCMOS 收发单片，覆盖 24–100GHz，集成低噪放、混频、中放与倍频本振，面向批量集成化 Sub-THz 前端。

• InP HBT 功率放大器芯片

  InP HBT 功率放大器裸芯片，覆盖 180–240GHz，饱和输出 12–18dBm，增益 18–22dB，面向 220GHz 段发射链末级。

• GaN HEMT 功率放大器芯片

  GaN HEMT 功率放大器裸芯片，覆盖 10–100GHz，饱和输出 26–32dBm，增益 15–20dB，面向中大功率发射链末级。