InP/GaN/SiGe 射频芯片

InP HBT/HEMT、GaN HEMT 与 SiGe BiCMOS 射频单片芯片

• SiGe BiCMOS 收发芯片

  SiGe BiCMOS 收发单片，覆盖 24–100GHz，集成低噪放、混频、中放与倍频本振，面向批量集成化 Sub-THz 前端。

• InP HBT 功率放大器芯片

  InP HBT 功率放大器裸芯片，覆盖 180–240GHz，饱和输出 12–18dBm，增益 18–22dB，面向 220GHz 段发射链末级。

• GaN HEMT 功率放大器芯片

  GaN HEMT 功率放大器裸芯片，覆盖 10–100GHz，饱和输出 26–32dBm，增益 15–20dB，面向中大功率发射链末级。