工艺

InP、GaN 与 SiGe 工艺在太赫兹前端的特征、窗口与良率边界

• 工艺窗口与良率边界在哪

  太赫兹器件工艺窗口窄，关键尺寸与装配公差以微米计；良率曲线陡峭，窗口边界靠过程控制点守住，小批量阶段靠数据不放量。

• InP HBT/HEMT 适合什么

  InP 工艺电子迁移率与击穿特性适合 220GHz 以上高频大功率，HBT 重功率、HEMT 重低噪；良率与成本是短板，供应链要逐项核。

• GaN 与 SiGe 在太赫兹前端怎么分工

  GaN 强在功率密度与耐压，SiGe 强在集成度与成本；100GHz 以下大功率看 GaN，收发一体与批量看 SiGe，220GHz 以上两者都要让位 InP。